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EnglishA nonlinear empirical model is here adopted to model the cold-FET behaviour of a GaAs PHEMT, in the framework of a resistive mixer application. The model, purely mathematical and technology independent, is suitably identified in the device operative region of interest and is validated in large-signal conditions by exploiting a measurements setup based on LSVNA.
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| Titolo: | Accurate Nonlinear Electron Device Modelling for Cold FET Mixer Design | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2008 | |
| Abstract: | A nonlinear empirical model is here adopted to model the cold-FET behaviour of a GaAs PHEMT, in the framework of a resistive mixer application. The model, purely mathematical and technology independent, is suitably identified in the device operative region of interest and is validated in large-signal conditions by exploiting a measurements setup based on LSVNA. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11392/529875 | |
| Appare nelle tipologie: | 04.2 Contributi in atti di convegno (in Volume) |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11392/529875
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