La risposta di un dispositivo elettronico a una eccitazione prefissata può, in generale, risultare diversa se osservata ad istanti temporali differenti. Successive ripetizioni del medesimo processo di misura possono dare risultati significativamente diversi: la caratterizzazione dei dispositivi elettronici deve, dunque, tenere in considerazione questo fenomeno. Un esempio ampiamente discusso in letteratura è rappresentato dalla dispersione nel tempo delle tensioni di breakdown (drain-source e gate-drain) nei transistori ad effetto di campo (FET). Tale dispersione temporale, o “walkout”, delle caratteristiche del dispositivo può essere spiegata considerando che vi sono particolari condizioni operative che, risultando stressanti per la fisica interna del dispositivo, causano una modificazione progressiva e permanente della sua risposta alle porte elettriche esterne. Questo è particolarmente evidente, ad esempio, quando il dispositivo opera nella regione di scarica inversa (elettroni caldi) dal gate. Tuttavia, tali fenomeni di degrado possono essere osservati anche in condizioni operative nominalmente sicure per il dispositivo. La caratterizzazione sperimentale del degrado dei dispositivi elettronici è solitamente effettuata in regime statico [1]-[2], forzando il dispositivo in esame (DUT) in condizioni operative altamente stressanti e di norma lontane da quelle che sono le sue condizioni di utilizzo. In questo lavoro, invece, viene presentato un sistema di misura in grado di caratterizzare la dispersione temporale, oltre che in regime statico, anche in regime non lineare dinamico. Esso è utile, quindi, a raccogliere indicazioni sul degrado che può subire il dispositivo quando questi si trovi ad operare nelle applicazioni tipiche.
Un innovativo sistema di misura per la caratterizzazione della dispersione temporale in regime statico e dinamico dei dispositivielettronici a microonde
RAFFO, Antonio;DI GIACOMO, Valeria;
2007
Abstract
La risposta di un dispositivo elettronico a una eccitazione prefissata può, in generale, risultare diversa se osservata ad istanti temporali differenti. Successive ripetizioni del medesimo processo di misura possono dare risultati significativamente diversi: la caratterizzazione dei dispositivi elettronici deve, dunque, tenere in considerazione questo fenomeno. Un esempio ampiamente discusso in letteratura è rappresentato dalla dispersione nel tempo delle tensioni di breakdown (drain-source e gate-drain) nei transistori ad effetto di campo (FET). Tale dispersione temporale, o “walkout”, delle caratteristiche del dispositivo può essere spiegata considerando che vi sono particolari condizioni operative che, risultando stressanti per la fisica interna del dispositivo, causano una modificazione progressiva e permanente della sua risposta alle porte elettriche esterne. Questo è particolarmente evidente, ad esempio, quando il dispositivo opera nella regione di scarica inversa (elettroni caldi) dal gate. Tuttavia, tali fenomeni di degrado possono essere osservati anche in condizioni operative nominalmente sicure per il dispositivo. La caratterizzazione sperimentale del degrado dei dispositivi elettronici è solitamente effettuata in regime statico [1]-[2], forzando il dispositivo in esame (DUT) in condizioni operative altamente stressanti e di norma lontane da quelle che sono le sue condizioni di utilizzo. In questo lavoro, invece, viene presentato un sistema di misura in grado di caratterizzare la dispersione temporale, oltre che in regime statico, anche in regime non lineare dinamico. Esso è utile, quindi, a raccogliere indicazioni sul degrado che può subire il dispositivo quando questi si trovi ad operare nelle applicazioni tipiche.I documenti in SFERA sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
