While Resistive RAM (RRAM) are seen as an alternative to NAND Flash, their variability and cycling understanding remain a major roadblock. Extensive characterizations of multi-kbits RRAM arrays during Forming, Set, Reset and cycling operations are presented allowing the quantification of the intrinsic variability factors. As a result, the fundamental variability limits of filament-based RRAM in the full resistance range are identified.
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Titolo: | Fundamental variability limits of filament-based RRAM | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2016 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11392/2371660 | |
ISBN: | 9781509039012 | |
Appare nelle tipologie: | 04.2 Contributi in atti di convegno (in Volume) |
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