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EnglishA novel extraction methodology is proposed to distinguish between the extrinsic and intrinsic capacitances of wide GaN HEMTs. This approach is based on the experimental observation that the real parts of the impedance parameters of such devices increase at high-frequency. The mathematical analysis clearly shows that this so far uninvestigated behavior can be attributed to the extrinsic capacitances.
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| Data di pubblicazione: | 2011 | |
| Titolo: | High-Frequency Extraction of the Extrinsic Capacitances for GaN HEMT Technology | |
| Autori: | G.Crupi; D.Schreurs; A.Caddemi; A.Raffo; F.Vanaverbeke; G.Avolio; G.Vannini; W.De Raedt | |
| Rivista: | IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS | |
| Abstract: | A novel extraction methodology is proposed to distinguish between the extrinsic and intrinsic capacitances of wide GaN HEMTs. This approach is based on the experimental observation that the real parts of the impedance parameters of such devices increase at high-frequency. The mathematical analysis clearly shows that this so far uninvestigated behavior can be attributed to the extrinsic capacitances. | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/LMWC.2011.2160525 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11392/1545798 | |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11392/1545798
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