Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
SFERA Archivio dei prodotti della Ricerca dell'Università di Ferrara
Using e+e− collision data at ten center-of-mass energies between 2.644 and 3.080 GeV collected with the BESIII detector at BEPCII and corresponding to an integrated luminosity of about 500 pb−1, we measure the cross sections and effective form factors for the process e+e−→Ξ0Ξ¯0 utilizing a single-tag method. A fit to the cross section of e+e−→Ξ0Ξ¯0 with a pQCD-driven power function is performed, from which no significant resonance or threshold enhancement is observed. In addition, the ratio of cross sections for the processes e+e−→Ξ−Ξ¯+ and Ξ0Ξ¯0 is calculated using recent BESIII measurement and is found to be compatible with expectation from isospin symmetry.
Measurement of cross section for e(+)e(-) -> Xi(0)(Xi)over-bar(0) near threshold
Ablikim M.;Achasov M. N.;Adlarson P.;Ahmed S.;Albrecht M.;Aliberti R.;Amoroso A.;An M. R.;An Q.;Bai X. H.;Bai Y.;Bakina O.;Baldini Ferroli R.;Balossino I.;Ban Y.;Begzsuren K.;Berger N.;Bertani M.;Bettoni D.;Bianchi F.;Bloms J.;Bortone A.;Boyko I.;Briere R. A.;Cai H.;Cai X.;Calcaterra A.;Cao G. F.;Cao N.;Cetin S. A.;Chai X. Y.;Chang J. F.;Chang W. L.;Chelkov G.;Chen D. Y.;Chen G.;Chen H. S.;Chen M. L.;Chen S. J.;Chen X. R.;Chen Y. B.;Chen Z. J.;Cheng W. S.;Cibinetto G.;Cossio F.;Cui X. F.;Dai H. L.;Dai X. C.;Dbeyssi A.;de Boer R. E.;Dedovich D.;Deng Z. Y.;Denig A.;Denysenko I.;Destefanis M.;De Mori F.;Ding Y.;Dong C.;Dong J.;Dong L. Y.;Dong M. Y.;Dong X.;Du S. X.;Fan Y. L.;Fang J.;Fang S. S.;Fang Y.;Farinelli R.;Fava L.;Feldbauer F.;Felici G.;Feng C. Q.;Feng J. H.;Fritsch M.;Fu C. D.;Gao Y.;Gao Y. G.;Garzia I.;Ge P. T.;Geng C.;Gersabeck E. M.;Gilman A.;Goetzen K.;Gong L.;Gong W. X.;Gradl W.;Greco M.;Gu L. M.;Gu M. H.;Gu S.;Gu Y. T.;Guan C. Y.;Guo A. Q.;Guo L. B.;Guo R. P.;Guo Y. P.;Guskov A.;Han T. T.;Han W. Y.;Hao X. Q.;Harris F. A.;Husken N.;He K. L.;Heinsius F. H.;Heinz C. H.;Held T.;Heng Y. K.;Herold C.;Himmelreich M.;Holtmann T.;Hou G. Y.;Hou Y. R.;Hou Z. L.;Hu H. M.;Hu J. F.;Hu T.;Hu Y.;Huang G. S.;Huang L. Q.;Huang X. T.;Huang Y. P.;Huang Z.;Hussain T.;Ikegami Andersson W.;Imoehl W.;Irshad M.;Jaeger S.;Janchiv S.;Ji Q.;Ji Q. P.;Ji X. B.;Ji X. L.;Ji Y. Y.;Jiang H. B.;Jiang X. S.;Jiao J. B.;Jiao Z.;Jin S.;Jin Y.;Jing M. Q.;Johansson T.;Kalantar-Nayestanaki N.;Kang X. S.;Kappert R.;Kavatsyuk M.;Ke B. C.;Keshk I. K.;Khoukaz A.;Kiese P.;Kiuchi R.;Kliemt R.;Koch L.;Kolcu O. B.;Kopf B.;Kuemmel M.;Kuessner M.;Kupsc A.;Kurth M. G.;Kuhn W.;Lane J. J.;Lange J. S.;Larin P.;Lavania A.;Lavezzi L.;Lei Z. H.;Leithoff H.;Lellmann M.;Lenz T.;Li C.;Li C. H.;Li C.;Li D. M.;Li F.;Li G.;Li H.;Li H. B.;Li H. J.;Li J. L.;Li J. Q.;Li J. S.;Li K.;Li L. K.;Li L.;Li P. R.;Li S. Y.;Li W. D.;Li W. G.;Li X. H.;Li X. L.;Li X.;Li Z. Y.;Liang H.;Liang Y. F.;Liang Y. T.;Liao G. R.;Liao L. Z.;Libby J.;Lin C. X.;Liu B. J.;Liu C. X.;Liu D.;Liu F. H.;Liu F.;Liu F.;Liu H. B.;Liu H. M.;Liu H.;Liu H.;Liu J. B.;Liu J. L.;Liu J. Y.;Liu K.;Liu K. Y.;Liu L.;Liu M. H.;Liu P. L.;Liu Q.;Liu S. B.;Liu S.;Liu T.;Liu W. M.;Liu X.;Liu Y.;Liu Y. B.;Liu Z. A.;Liu Z. Q.;Lou X. C.;Lu F. X.;Lu H. J.;Lu J. D.;Lu J. G.;Lu X. L.;Lu Y.;Lu Y. P.;Luo C. L.;Luo M. X.;Luo P. W.;Luo T.;Luo X. L.;Lyu X. R.;Ma F. C.;Ma H. L.;Ma L. L.;Ma M. M.;Ma Q. M.;Ma R. Q.;Ma R. T.;Ma X. X.;Ma X. Y.;Maas F. E.;Maggiora M.;Maldaner S.;Malde S.;Malik Q. A.;Mangoni A.;Mao Y. J.;Mao Z. P.;Marcello S.;Meng Z. X.;Messchendorp J. G.;Mezzadri G.;Min T. J.;Mitchell R. E.;Mo X. H.;Mo Y. J.;Muchnoi N. Y.;Muramatsu H.;Nakhoul S.;Nefedov Y.;Nerling F.;Nikolaev I. B.;Ning Z.;Nisar S.;Olsen S. L.;Ouyang Q.;Pacetti S.;Pan X.;Pan Y.;Pathak A.;Patteri P.;Pelizaeus M.;Peng H. P.;Peters K.;Pettersson J.;Ping J. L.;Ping R. G.;Poling R.;Prasad V.;Qi H.;Qi H. R.;Qi K. H.;Qi M.;Qi T. Y.;Qian S.;Qian W. B.;Qian Z.;Qiao C. F.;Qin L. Q.;Qin X. P.;Qin X. S.;Qin Z. H.;Qiu J. F.;Qu S. Q.;Rashid K. H.;Ravindran K.;Redmer C. F.;Rivetti A.;Rodin V.;Rolo M.;Rong G.;Rosner C.;Rump M.;Sang H. S.;Sarantsev A.;Schelhaas Y.;Schnier C.;Schoenning K.;Scodeggio M.;Shan D. C.;Shan W.;Shan X. Y.;Shangguan J. F.;Shao M.;Shen C. P.;Shen H. F.;Shen P. X.;Shen X. Y.;Shi H. C.;Shi R. S.;Shi X.;Shi X. D.;Song J. J.;Song W. M.;Song Y. X.;Sosio S.;Spataro S.;Su K. X.;Su P. P.;Sui F. F.;Sun G. X.;Sun H. K.;Sun J. F.;Sun L.;Sun S. S.;Sun T.;Sun W. Y.;Sun X.;Sun Y. J.;Sun Y. K.;Sun Y. Z.;Sun Z. T.;Tan Y. H.;Tan Y. X.;Tang C. J.;Tang G. Y.;Tang J.;Teng J. X.;Thoren V.;Tian W. H.;Tian Y. T.;Uman I.;Wang B.;Wang C. W.;Wang D. Y.;Wang H. J.;Wang H. P.;Wang K.;Wang L. L.;Wang M.;Wang M. Z.;Wang M.;Wang W.;Wang W. H.;Wang W. P.;Wang X.;Wang X. F.;Wang X. L.;Wang Y.;Wang Y. D.;Wang Y. F.;Wang Y. Q.;Wang Y. Y.;Wang Z.;Wang Z. Y.;Wang Z.;Wang Z.;Wei D. H.;Weidner F.;Wen S. P.;Wen L. Z.;White D. J.;Wiedner U.;Wilkinson G.;Wolke M.;Wollenberg L.;Wu J. F.;Wu L. H.;Wu L. J.;Wu X.;Wu Z.;Xia L.;Xiao H.;Xiao S. Y.;Xiao Z. J.;Xie X. H.;Xie Y. G.;Xie Y. H.;Xing T. Y.;Xu G. F.;Xu Q. J.;Xu W.;Xu X. P.;Xu Y. C.;Yan F.;Yan L.;Yan W. B.;Yan W. C.;Yan X.;Yang H. J.;Yang H. X.;Yang L.;Yang S. L.;Yang Y. X.;Yang Y.;Yang Z.;Ye M.;Ye M. H.;Yin J. H.;You Z. Y.;Yu B. X.;Yu C. X.;Yu G.;Yu J. S.;Yu T.;Yuan C. Z.;Yuan L.;Yuan X. Q.;Yuan Y.;Yuan Z. Y.;Yue C. X.;Yuncu A.;Zafar A. A.;Zeng;Zeng Y.;Zhang A. Q.;Zhang B. X.;Zhang G.;Zhang H.;Zhang H. H.;Zhang H. Y.;Zhang J. J.;Zhang J. L.;Zhang J. Q.;Zhang J. W.;Zhang J. Y.;Zhang J. Z.;Zhang J.;Zhang J.;Zhang L. M.;Zhang L. Q.;Zhang L.;Zhang S.;Zhang S. F.;Zhang S.;Zhang X. D.;Zhang X. Y.;Zhang Y.;Zhang Y. H.;Zhang Y. T.;Zhang Y.;Zhang Y.;Zhang Y.;Zhang Z. H.;Zhang Z. Y.;Zhao G.;Zhao J.;Zhao J. Y.;Zhao J. Z.;Zhao L.;Zhao L.;Zhao M. G.;Zhao Q.;Zhao S. J.;Zhao Y. B.;Zhao Y. X.;Zhao Z. G.;Zhemchugov A.;Zheng B.;Zheng J. P.;Zheng Y.;Zheng Y. H.;Zhong B.;Zhong C.;Zhou L. P.;Zhou Q.;Zhou X.;Zhou X. K.;Zhou X. R.;Zhou X. Y.;Zhu A. N.;Zhu J.;Zhu K.;Zhu K. J.;Zhu S. H.;Zhu T. J.;Zhu W. J.;Zhu Y. C.;Zhu Z. A.;Zou B. S.;Zou J. H.
2021
Abstract
Using e+e− collision data at ten center-of-mass energies between 2.644 and 3.080 GeV collected with the BESIII detector at BEPCII and corresponding to an integrated luminosity of about 500 pb−1, we measure the cross sections and effective form factors for the process e+e−→Ξ0Ξ¯0 utilizing a single-tag method. A fit to the cross section of e+e−→Ξ0Ξ¯0 with a pQCD-driven power function is performed, from which no significant resonance or threshold enhancement is observed. In addition, the ratio of cross sections for the processes e+e−→Ξ−Ξ¯+ and Ξ0Ξ¯0 is calculated using recent BESIII measurement and is found to be compatible with expectation from isospin symmetry.
Ablikim, M.; Achasov, M. N.; Adlarson, P.; Ahmed, S.; Albrecht, M.; Aliberti, R.; Amoroso, A.; An, M. R.; An, Q.; Bai, X. H.; Bai, Y.; Bakina, O.; Baldini Ferroli, R.; Balossino, I.; Ban, Y.; Begzsuren, K.; Berger, N.; Bertani, M.; Bettoni, D.; Bianchi, F.; Bloms, J.; Bortone, A.; Boyko, I.; Briere, R. A.; Cai, H.; Cai, X.; Calcaterra, A.; Cao, G. F.; Cao, N.; Cetin, S. A.; Chai, X. Y.; Chang, J. F.; Chang, W. L.; Chelkov, G.; Chen, D. Y.; Chen, G.; Chen, H. S.; Chen, M. L.; Chen, S. J.; Chen, X. R.; Chen, Y. B.; Chen, Z. J.; Cheng, W. S.; Cibinetto, G.; Cossio, F.; Cui, X. F.; Dai, H. L.; Dai, X. C.; Dbeyssi, A.; de Boer, R. E.; Dedovich, D.; Deng, Z. Y.; Denig, A.; Denysenko, I.; Destefanis, M.; De Mori, F.; Ding, Y.; Dong, C.; Dong, J.; Dong, L. Y.; Dong, M. Y.; Dong, X.; Du, S. X.; Fan, Y. L.; Fang, J.; Fang, S. S.; Fang, Y.; Farinelli, R.; Fava, L.; Feldbauer, F.; Felici, G.; Feng, C. Q.; Feng, J. H.; Fritsch, M.; Fu, C. D.; Gao, Y.; Gao, Y. G.; Garzia, I.; Ge, P. T.; Geng, C.; Gersabeck, E. M.; Gilman, A.; Goetzen, K.; Gong, L.; Gong, W. X.; Gradl, W.; Greco, M.; Gu, L. M.; Gu, M. H.; Gu, S.; Gu, Y. T.; Guan, C. Y.; Guo, A. Q.; Guo, L. B.; Guo, R. P.; Guo, Y. P.; Guskov, A.; Han, T. T.; Han, W. Y.; Hao, X. Q.; Harris, F. A.; Husken, N.; He, K. L.; Heinsius, F. H.; Heinz, C. H.; Held, T.; Heng, Y. K.; Herold, C.; Himmelreich, M.; Holtmann, T.; Hou, G. Y.; Hou, Y. R.; Hou, Z. L.; Hu, H. M.; Hu, J. F.; Hu, T.; Hu, Y.; Huang, G. S.; Huang, L. Q.; Huang, X. T.; Huang, Y. P.; Huang, Z.; Hussain, T.; Ikegami Andersson, W.; Imoehl, W.; Irshad, M.; Jaeger, S.; Janchiv, S.; Ji, Q.; Ji, Q. P.; Ji, X. B.; Ji, X. L.; Ji, Y. Y.; Jiang, H. B.; Jiang, X. S.; Jiao, J. B.; Jiao, Z.; Jin, S.; Jin, Y.; Jing, M. Q.; Johansson, T.; Kalantar-Nayestanaki, N.; Kang, X. S.; Kappert, R.; Kavatsyuk, M.; Ke, B. C.; Keshk, I. K.; Khoukaz, A.; Kiese, P.; Kiuchi, R.; Kliemt, R.; Koch, L.; Kolcu, O. B.; Kopf, B.; Kuemmel, M.; Kuessner, M.; Kupsc, A.; Kurth, M. G.; Kuhn, W.; Lane, J. J.; Lange, J. S.; Larin, P.; Lavania, A.; Lavezzi, L.; Lei, Z. H.; Leithoff, H.; Lellmann, M.; Lenz, T.; Li, C.; Li, C. H.; Li, C.; Li, D. M.; Li, F.; Li, G.; Li, H.; Li, H. B.; Li, H. J.; Li, J. L.; Li, J. Q.; Li, J. S.; Li, K.; Li, L. K.; Li, L.; Li, P. R.; Li, S. Y.; Li, W. D.; Li, W. G.; Li, X. H.; Li, X. L.; Li, X.; Li, Z. Y.; Liang, H.; Liang, Y. F.; Liang, Y. T.; Liao, G. R.; Liao, L. Z.; Libby, J.; Lin, C. X.; Liu, B. J.; Liu, C. X.; Liu, D.; Liu, F. H.; Liu, F.; Liu, F.; Liu, H. B.; Liu, H. M.; Liu, H.; Liu, H.; Liu, J. B.; Liu, J. L.; Liu, J. Y.; Liu, K.; Liu, K. Y.; Liu, L.; Liu, M. H.; Liu, P. L.; Liu, Q.; Liu, S. B.; Liu, S.; Liu, T.; Liu, W. M.; Liu, X.; Liu, Y.; Liu, Y. B.; Liu, Z. A.; Liu, Z. Q.; Lou, X. C.; Lu, F. X.; Lu, H. J.; Lu, J. D.; Lu, J. G.; Lu, X. L.; Lu, Y.; Lu, Y. P.; Luo, C. L.; Luo, M. X.; Luo, P. W.; Luo, T.; Luo, X. L.; Lyu, X. R.; Ma, F. C.; Ma, H. L.; Ma, L. L.; Ma, M. M.; Ma, Q. M.; Ma, R. Q.; Ma, R. T.; Ma, X. X.; Ma, X. Y.; Maas, F. E.; Maggiora, M.; Maldaner, S.; Malde, S.; Malik, Q. A.; Mangoni, A.; Mao, Y. J.; Mao, Z. P.; Marcello, S.; Meng, Z. X.; Messchendorp, J. G.; Mezzadri, G.; Min, T. J.; Mitchell, R. E.; Mo, X. H.; Mo, Y. J.; Muchnoi, N. Y.; Muramatsu, H.; Nakhoul, S.; Nefedov, Y.; Nerling, F.; Nikolaev, I. B.; Ning, Z.; Nisar, S.; Olsen, S. L.; Ouyang, Q.; Pacetti, S.; Pan, X.; Pan, Y.; Pathak, A.; Patteri, P.; Pelizaeus, M.; Peng, H. P.; Peters, K.; Pettersson, J.; Ping, J. L.; Ping, R. G.; Poling, R.; Prasad, V.; Qi, H.; Qi, H. R.; Qi, K. H.; Qi, M.; Qi, T. Y.; Qian, S.; Qian, W. B.; Qian, Z.; Qiao, C. F.; Qin, L. Q.; Qin, X. P.; Qin, X. S.; Qin, Z. H.; Qiu, J. F.; Qu, S. Q.; Rashid, K. H.; Ravindran, K.; Redmer, C. F.; Rivetti, A.; Rodin, V.; Rolo, M.; Rong, G.; Rosner, C.; Rump, M.; Sang, H. S.; Sarantsev, A.; Schelhaas, Y.; Schnier, C.; Schoenning, K.; Scodeggio, M.; Shan, D. C.; Shan, W.; Shan, X. Y.; Shangguan, J. F.; Shao, M.; Shen, C. P.; Shen, H. F.; Shen, P. X.; Shen, X. Y.; Shi, H. C.; Shi, R. S.; Shi, X.; Shi, X. D.; Song, J. J.; Song, W. M.; Song, Y. X.; Sosio, S.; Spataro, S.; Su, K. X.; Su, P. P.; Sui, F. F.; Sun, G. X.; Sun, H. K.; Sun, J. F.; Sun, L.; Sun, S. S.; Sun, T.; Sun, W. Y.; Sun, X.; Sun, Y. J.; Sun, Y. K.; Sun, Y. Z.; Sun, Z. T.; Tan, Y. H.; Tan, Y. X.; Tang, C. J.; Tang, G. Y.; Tang, J.; Teng, J. X.; Thoren, V.; Tian, W. H.; Tian, Y. T.; Uman, I.; Wang, B.; Wang, C. W.; Wang, D. Y.; Wang, H. J.; Wang, H. P.; Wang, K.; Wang, L. L.; Wang, M.; Wang, M. Z.; Wang, M.; Wang, W.; Wang, W. H.; Wang, W. P.; Wang, X.; Wang, X. F.; Wang, X. L.; Wang, Y.; Wang, Y. D.; Wang, Y. F.; Wang, Y. Q.; Wang, Y. Y.; Wang, Z.; Wang, Z. Y.; Wang, Z.; Wang, Z.; Wei, D. H.; Weidner, F.; Wen, S. P.; Wen, L. Z.; White, D. J.; Wiedner, U.; Wilkinson, G.; Wolke, M.; Wollenberg, L.; Wu, J. F.; Wu, L. H.; Wu, L. J.; Wu, X.; Wu, Z.; Xia, L.; Xiao, H.; Xiao, S. Y.; Xiao, Z. J.; Xie, X. H.; Xie, Y. G.; Xie, Y. H.; Xing, T. Y.; Xu, G. F.; Xu, Q. J.; Xu, W.; Xu, X. P.; Xu, Y. C.; Yan, F.; Yan, L.; Yan, W. B.; Yan, W. C.; Yan, X.; Yang, H. J.; Yang, H. X.; Yang, L.; Yang, S. L.; Yang, Y. X.; Yang, Y.; Yang, Z.; Ye, M.; Ye, M. H.; Yin, J. H.; You, Z. Y.; Yu, B. X.; Yu, C. X.; Yu, G.; Yu, J. S.; Yu, T.; Yuan, C. Z.; Yuan, L.; Yuan, X. Q.; Yuan, Y.; Yuan, Z. Y.; Yue, C. X.; Yuncu, A.; Zafar, A. A.; Zeng, ; Zeng, Y.; Zhang, A. Q.; Zhang, B. X.; Zhang, G.; Zhang, H.; Zhang, H. H.; Zhang, H. Y.; Zhang, J. J.; Zhang, J. L.; Zhang, J. Q.; Zhang, J. W.; Zhang, J. Y.; Zhang, J. Z.; Zhang, J.; Zhang, J.; Zhang, L. M.; Zhang, L. Q.; Zhang, L.; Zhang, S.; Zhang, S. F.; Zhang, S.; Zhang, X. D.; Zhang, X. Y.; Zhang, Y.; Zhang, Y. H.; Zhang, Y. T.; Zhang, Y.; Zhang, Y.; Zhang, Y.; Zhang, Z. H.; Zhang, Z. Y.; Zhao, G.; Zhao, J.; Zhao, J. Y.; Zhao, J. Z.; Zhao, L.; Zhao, L.; Zhao, M. G.; Zhao, Q.; Zhao, S. J.; Zhao, Y. B.; Zhao, Y. X.; Zhao, Z. G.; Zhemchugov, A.; Zheng, B.; Zheng, J. P.; Zheng, Y.; Zheng, Y. H.; Zhong, B.; Zhong, C.; Zhou, L. P.; Zhou, Q.; Zhou, X.; Zhou, X. K.; Zhou, X. R.; Zhou, X. Y.; Zhu, A. N.; Zhu, J.; Zhu, K.; Zhu, K. J.; Zhu, S. H.; Zhu, T. J.; Zhu, W. J.; Zhu, Y. C.; Zhu, Z. A.; Zou, B. S.; Zou, J. H.
I documenti in SFERA sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11392/2481013
Citazioni
ND
30
29
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.