Un campione di GaAs fortemente drogato p, attivato in condizioni di affinita' elettronica negativa depositando cesio e ossigeno, costituisce una sorgente di elettroni con ottime qualita': alta intensita' di corrente, bassa dispersione energetica, profilo temporale e polarizzazione controllabili dalla radiazione laser stimolante. Con opportune tecniche di attivazione e di rigenerazione, si sono ottenute ottime prestazioni per le caratteristiche piu` probelmatiche di tali sorgenti: efficienze quantiche elevate (4 %< QY< 14% per 800>lambda>514 nm), correnti estratte in continua (500-1000) microA per diverse centinaia di ore ed un'ottima ripetibilita' per diverse attivazioni e rigenerazioni sullo stesso campione.
Sorgente di elettroni da GaAs
CIULLO, Giuseppe;GUIDI, Vincenzo;LENISA, Paolo;
1992
Abstract
Un campione di GaAs fortemente drogato p, attivato in condizioni di affinita' elettronica negativa depositando cesio e ossigeno, costituisce una sorgente di elettroni con ottime qualita': alta intensita' di corrente, bassa dispersione energetica, profilo temporale e polarizzazione controllabili dalla radiazione laser stimolante. Con opportune tecniche di attivazione e di rigenerazione, si sono ottenute ottime prestazioni per le caratteristiche piu` probelmatiche di tali sorgenti: efficienze quantiche elevate (4 %< QY< 14% per 800>lambda>514 nm), correnti estratte in continua (500-1000) microA per diverse centinaia di ore ed un'ottima ripetibilita' per diverse attivazioni e rigenerazioni sullo stesso campione.I documenti in SFERA sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
